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Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg1-xCdxTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, DoX, AoX and DoAo transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively. 相似文献
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利用数值模拟的方法,通过改变冲击雷诺数Rej(20000-35000)、旋转数Ro(0-0.0117)等参数,分析旋转条件下半受限单孔冲击射流的流动和换热特性,讨论了旋转对冲击射流的流场结构和换热特性的影响.研究结果表明:冲击射流在离心力和哥氏力的共同作用下发生弯曲,造成冲击靶面上的冲击斑随着旋转数Ro的增加而不断偏移,显著影响了冲击的冷却效果.冲击靶面的平均Nu数随着冲击雷诺数Rej的增加而增加;当旋转数Ro增加时,冲击靶面的平均Nu数先增加,后减小,然后再增加.计算结果和试验结论基本一致. 相似文献
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